半導(dǎo)體生產(chǎn)廢氣、電子廠廢氣的形成

半導(dǎo)體生產(chǎn)制造過(guò)程可以分為3個(gè)階段：晶體材料生產(chǎn)階段、各種型號(hào)晶片制造階段和組裝階段，其中污染輕的組裝階段僅涉及組裝工藝，污染較為嚴(yán)重的是晶片制造階段。

清洗工藝為保留芯片表面特性，采用化學(xué)溶液有效的清除半導(dǎo)體硅片表面的灰塵、殘留有機(jī)物和吸附在表面的各種離子，主要產(chǎn)生各類(lèi)廢氣及廢液。晶圓鍵合以有無(wú)中間過(guò)渡層可分為直接鍵合和中間層鍵合，而直接鍵合方式具有鍵合強(qiáng)度高的優(yōu)勢(shì)，是目前應(yīng)用的主流，鍵合工序污染較小僅產(chǎn)生廢水。

氧化是在高溫惰性環(huán)境下，通入氧氣或含氧水汽，將硅片表面的硅氧化生長(zhǎng)氧化層，過(guò)程一般是將作為原料的硅晶圓片放入潔凈的石英爐管中，主要產(chǎn)生工藝廢氣。光刻是芯片制造的核心工藝，包括涂膠、曝光、顯影3個(gè)步驟。涂膠工藝是摻雜的過(guò)程主要采用離子注入技術(shù)進(jìn)行摻雜，以改變所使用的材料的電學(xué)性質(zhì)，在電子噴淋裝置中，用氙氣產(chǎn)生的等離子體中和硅片表面的正電荷，主要產(chǎn)生工藝廢氣。

在硅片的表面通過(guò)硅片高速旋轉(zhuǎn)從而使其表面均勻地涂上光刻膠；曝光工藝為使用光刻機(jī)，并使用光掩膜版對(duì)已涂膠的硅片進(jìn)行光照，；顯影工藝為去除曝光后硅片上的光刻膠，這些過(guò)程產(chǎn)生污染較大，產(chǎn)生廢氣、廢水、固體廢物。刻蝕技術(shù)主要分為兩大類(lèi)：液態(tài)的濕法刻蝕和氣態(tài)的干法刻蝕。干法刻蝕：干法刻蝕也是一種去除光刻膠未覆蓋區(qū)域的薄膜的主要產(chǎn)生工藝廢氣。

半導(dǎo)體生產(chǎn)廢氣、電子廠廢氣特性
半導(dǎo)體工業(yè)在加工的過(guò)程中會(huì)使用到光刻膠、蝕刻液、清洗劑、顯影劑等溶劑，而這些溶劑是含有大量的有機(jī)物成分，排放出來(lái)的廢氣含有HCl、氨、HF等危險(xiǎn)污染物，而主要處理的是具有揮發(fā)性的VOCs。

溫馨提示：VOCs污染物為有機(jī)化合物，在濃度較高且有火花或靜電情況下，極易發(fā)生閃爆現(xiàn)象。
半導(dǎo)體在制造過(guò)程中一般的污染源包括顆粒污染物、金屬離子和化學(xué)物質(zhì)等，而這些都是屬于有害的污染物。

VOC廢氣處理可使用如下工藝設(shè)備
1. UV光解催化氧化法、低溫等離子法、活性炭?jī)艋ā⒒旌咸幚矸?br/>2. 催化燃燒處理法（CO）
3. 蓄熱式催化燃燒法（RCO）
4. 沸石轉(zhuǎn)輪+CO/沸石轉(zhuǎn)輪+TO/沸石轉(zhuǎn)輪+RCO/沸石轉(zhuǎn)輪+RTO